IRF6100
100
10
VGS
TOP    -7.00V
-5.00V
-4.50V
-2.50V
-1.80V
-1.50V
-1.20V
BOTTOM -1.00V
100
10
VGS
TOP    -7.00V
-5.00V
-4.50V
-2.50V
-1.80V
-1.50V
-1.20V
BOTTOM -1.00V
1
0.1
-1.00V
1
-1.00V
0.01
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10            100
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10            100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = -5.1A
1
1.0
V DS = -15V
20μs PULSE WIDTH
1.5        2.0        2.5
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
3.0
V GS = -4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20  40  60  80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature          ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料
IRF6215L MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
IRF634B_FP001 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
IRF640NL MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
IRF644B_FP001 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220
IRF6603TR1 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRF6604TR1 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
IRF6607TR1 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRF6613 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
相关代理商/技术参数
IRF6100PBF 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF610-613 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
IRF610A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRF610B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF610B_FP001 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF610L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF610LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF610PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube